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Laser-annealing of thin semiconductor films

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Datum

1994

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Nedelcu, Johann

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http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:352-opus-30586
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https://doi.org/10.1117/12.195876
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Beitrag zu einem Konferenzband
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Published

Erschienen in

PUSTOVOY, Vladimir I., ed., Miroslav JELINEK, ed.. Second International Symposium on Advanced Laser Technologies. SPIE, 1994, pp. 2-15. SPIE Proceedings. 2332. Available under: doi: 10.1117/12.195876

Zusammenfassung

Optical reflectivity and transmissivity measurements have been used to investigate the dynamics of melting and recrystallisation of thin films of Si and Ge after laser-annealing with a ns Nd:YAG-laser pulse. We report on temperature dependent changes of the reflectivity of the liquid phase above and below the melting point and on various nucleation and solidification scenarios in thin film, depending on the energy density of the amding laser.

Zusammenfassung in einer weiteren Sprache

Fachgebiet (DDC)
530 Physik

Schlagwörter

Konferenz

Advanced Laser Technologies: International Symposium, Prague, Czech Republic
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ISO 690BONEBERG, Johannes, Johann NEDELCU, Ernst BUCHER, Paul LEIDERER, 1994. Laser-annealing of thin semiconductor films. Advanced Laser Technologies: International Symposium. Prague, Czech Republic. In: PUSTOVOY, Vladimir I., ed., Miroslav JELINEK, ed.. Second International Symposium on Advanced Laser Technologies. SPIE, 1994, pp. 2-15. SPIE Proceedings. 2332. Available under: doi: 10.1117/12.195876
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