Langzeitstabilität der Ladungsträgerlebensdauer in kristallinem p-Typ und n-Typ Silizium bei Beleuchtung und erhöhter Temperatur
| dc.contributor.author | Mehler, Melanie | |
| dc.date.accessioned | 2025-07-25T12:32:39Z | |
| dc.date.available | 2025-07-25T12:32:39Z | |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.description.abstract | Das Ziel dieser Arbeit ist es, ein tieferes Verständnis der Prozess- und Materialabhängigkeit der Langzeitstabilität in monokristallinen Silizium zu gewinnen. Es wird untersucht, inwieweit die Degradationsmechanismen im verwendeten Wafermaterial selbst sowie in spezifischen Schritten der Solarzellenfertigung, insbesondere Hochtemperaturprozessen, zu finden sind. Durch die gezielte Verknüpfung dieser Aspekte soll ein umfassendes Verständnis der Langzeitstabilität entstehen, um Degradationsmechanismen besser zu verstehen und deren Reduzierung oder Vermeidung zu ermöglichen. Besonderes Augenmerk liegt auf den Wechselwirkungen zwischen Verunreinigungselementen wie Aluminium, Gallium und Phosphor im Wafermaterial mit Wasserstoff aus der Passivierungsschicht. | |
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| dc.title | Langzeitstabilität der Ladungsträgerlebensdauer in kristallinem p-Typ und n-Typ Silizium bei Beleuchtung und erhöhter Temperatur | deu |
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