The growth of atomically rough 4He crystals


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BODENSOHN, Joachim, Klaus NICOLAI, Paul LEIDERER, 1986. The growth of atomically rough 4He crystals. In: Zeitschrift für Physik / B. 64(1), pp. 55-64. Available under: doi: 10.1007/BF01313689

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Bodensohn, Joachim Nicolai, Klaus terms-of-use Leiderer, Paul application/pdf The growth of atomically rough 4He crystals Bodensohn, Joachim Leiderer, Paul Nicolai, Klaus Erschien zuerst in: Zeitschrift für Physik / B, 64 (1986), 1, S. 55-64 1986 2011-03-24T17:57:20Z eng We have studied the growth of atomically rough bcc and hcp4He crystals from the superfluid phase for temperatures T > 0.9 K. The growth coefficient displays a temperature dependence which can be represented by m4KaeAElkflTT.h e parameter AE is found to be in close agreement with the energy gap of rotons, suggesting that theqe thermal excitations dominate the growth kinetics. Besides, the absolute value of the growth coefficient depends on crystal orientation, with an anisotropy for the hcp phase of about a factor of 2.5 between the (10iO) and (0001) planes. 2011-03-24T17:57:20Z

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