Neue Konzepte für monolithisch integrierte kristalline Siliziumsolarzellen

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KELLER, Steffen, 2000. Neue Konzepte für monolithisch integrierte kristalline Siliziumsolarzellen

@phdthesis{Keller2000Konze-9423, title={Neue Konzepte für monolithisch integrierte kristalline Siliziumsolarzellen}, year={2000}, author={Keller, Steffen}, address={Konstanz}, school={Universität Konstanz} }

<rdf:RDF xmlns:rdf="http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#" xmlns:bibo="http://purl.org/ontology/bibo/" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" xmlns:dcterms="http://purl.org/dc/terms/" xmlns:xsd="http://www.w3.org/2001/XMLSchema#" > <rdf:Description rdf:about="https://kops.uni-konstanz.de/rdf/resource/123456789/9423"> <dcterms:alternative>Novel concepts for monolithically integrated crystalline silicon solar cells</dcterms:alternative> <dcterms:title>Neue Konzepte für monolithisch integrierte kristalline Siliziumsolarzellen</dcterms:title> <dc:creator>Keller, Steffen</dc:creator> <dcterms:rights rdf:resource="http://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bsz:352-20140905103416863-3868037-7"/> <dc:language>deu</dc:language> <dc:rights>deposit-license</dc:rights> <dcterms:issued>2000</dcterms:issued> <dc:contributor>Keller, Steffen</dc:contributor> <bibo:uri rdf:resource="http://kops.uni-konstanz.de/handle/123456789/9423"/> <dc:format>application/pdf</dc:format> <dc:date rdf:datatype="http://www.w3.org/2001/XMLSchema#dateTime">2011-03-24T17:56:23Z</dc:date> <dcterms:available rdf:datatype="http://www.w3.org/2001/XMLSchema#dateTime">2011-03-24T17:56:23Z</dcterms:available> <dcterms:abstract xml:lang="deu">Leistungsintensive Mobilgeräte der Informationstechnologie stellen ein neues und interessantes Anwendungsgebiet für Solarzellen-Minimodule dar. Wichtige Anforderungen an derartige Minimodule sind: · Ausgangsspannungen von mehreren Volt · höhere Wirkungsgrade als monolithisch integrierte amorphe Siliziumsolarzellen · kostengünstige Fertigung im Vergleich zu in Schindeltechnik verlöteten kristallinen Silizium (c-Si) Hochleistungssolarzellen · ausreichende Leistung auch bei geringen Beleuchtungsintensitäten · ästhetisches Erscheinungsbild. In der vorliegenden Arbeit wird ein neuer Zugang für monolithisch serienverschaltete c-Si Solarzellen basierend auf der kostengünstigen Siebdruck-Prozesstechnologie vorgeschlagen. Der leitfähige Wafer dient dabei nicht nur - wie im Fall der Dünnschichtsolarzellen - als Substrat, sondern als gemeinsame elektronische Basis aller Unterzellen. Die Herausforderung bei der Umsetzung derartiger 'Hochvoltzellen' ist vor allem ausreichend hohe Shuntwiderstände zu realisieren, da zusätzliche parasitäre Strompfade existieren. Experimentell wurden Hochvolt- und Referenzzellen unter Verwendung von 11 Ohmcm CZ Si hergestellt. Für die konventionellen Referenzzellen ohne Antireflexionsbeschichtung (ARC) ergaben sich Wirkungsgrade (eta) von 10,1 Die Werte der besten in dieser Arbeit gefertigten Prototyp-Hochvoltzellen sind: · 'Emitter-Wrap-Through-Design' (10 Unterzellen, Gesamtfläche 40 cm2, SiN ARC); eta = 10,6 (11,9 Apertur), Voc = 5,6 V, Rsh = 2000 Ohmcm2. · 'Metallisation-Wrap-Through-Design' (6 Unterzellen, Gesamtfläche 21 cm2, ZnS/MgF2 ARC); eta = 12,8, Voc = 3,5 V. Gegenüber zuvor publizierten Zellkonzepten (eta ca. 8) weisen die Hochvoltzellen neue Rekordwirkungsgrade für monolithisch integrierte c-Si Solarzellen auf, wobei Computersimulationen zeigen, dass weitere Steigerungen möglich sind. Gefördert durch die Fraunhofergesellschaft wurden die in dieser Dissertation entwickelten Hochvoltzellen 1999 international zum Patent angemeldet.</dcterms:abstract> </rdf:Description> </rdf:RDF>

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