Analysis of electrically active defects in silicon for solar cells
| Publikationstyp: | Dissertation |
| URI (zitierfähiger Link): | http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:352-opus-72668 |
| Autor/innen: | Roth, Thomas |
| Erscheinungsjahr: | 2008 |
| Titel in einer weiteren Sprache: | Analyse von elektrisch aktiven Defekten in Silicium für Solarzellen |
| Zusammenfassung: |
The present work was concerned with the analysis of electrically active defects in silicon for solar cells. Analysis of such defects was performed using the two different characterization techniques deep-level transient spectroscopy and lifetime spectroscopy. The challenge of the present work was the in-depth comparison of the different measurement and evaluation techniques as well as the experimental use of these techniques for accessing the defect parameters of various impurities in silicon material.
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| Zusammenfassung in einer weiteren Sprache: |
Die vorliegende Arbeit behandelte die Analyse von elektrisch aktiven Defekten in Silicium für Solarzellen. Diese Analyse wurde durchgeführt mit den Methoden der Deep-level transient spectroscopy und der Lebensdauerspektroskopie. Das Ziel dieser Arbeit war sowohl der ausführliche Vergleich dieser unterschiedlichen Mess- und Auswertemethoden, als auch das experimentelle Anwenden dieser Methoden, um die Defektparameter verschiedener metallischer Verunreinigungen zu bestimmen.
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| Prüfungsdatum (bei Dissertationen): | 19. Dez 2008 |
| Hochschulschriftenvermerk: | Konstanz, Univ., Diss., 2008 |
| PACS-Klassifikation: | 80; 81.05.Cy; 81.05.-t; 81 |
| Fachgebiet (DDC): | 530 Physik |
| Normierte Schlagwörter (GND): | Silicium, Ladungsträger, Lebensdauer, Photolumineszenz, Photovoltaik, Defekt |
| Schlagwörter: | silicon, carrier lifetime, photoluminescence, photovoltaic, defect |
| Link zur Lizenz: | Deposit-Lizenz |
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ROTH, Thomas, 2008. Analysis of electrically active defects in silicon for solar cells
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