Luminescent Properties of Transition Metal Impurities in Silicon

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Prüfsumme: MD5:d4f597dfe5a5cc4a03b4e8fc5bf87b66

KNOPF, Matthias, 1998. Luminescent Properties of Transition Metal Impurities in Silicon [Master thesis]

@mastersthesis{Knopf1998Lumin-4971, title={Luminescent Properties of Transition Metal Impurities in Silicon}, year={1998}, author={Knopf, Matthias} }

eng Knopf, Matthias Ziel dieser Arbeit war die Identifizierung von Au- und Pt-Störstellenniveaus in Si durch Photolumineszenz(PL)-Experimente.<br />Hierzu wurden zunächst Si-Proben verschiedener Grunddotierung mit stabilen Au- und Pt-Isotopen unterschiedlicher Dosis<br />implantiert. Um die dabei entstandenen PL-Banden eindeutig Au- bzw. Pt-Zuständen zuordnen zu können, wurden Si-Proben<br />mit radioaktiven Hg-Isotopen implantiert. Hierbei wurde der Zerfall Hg --> Au --> Pt zur Identifikation der Zustände<br />ausgenutzt, da die Intensität einer PL-Linie mit der Konzentration der entsprechenden Defekte korreliert ist. Auch an den mit<br />radioaktivem 193Hg implantierten Proben konnte das Entstehen der Au- bzw. Pt-Komplexe nachgewiesen werden.<br />Darüberhinaus zeigte sich, daß die Intensität der zugehörigen PL-Linien innerhalb der experimentellen Genauigkeit mit der<br />charakteristischen Halbwertszeit des jeweiligen Mutterisotops variiert.<br /><br />Bei der Identifizierung der durch Pt verursachten Energieniveaus konnten drei bekannte Rekombinationszentren beobachtet<br />werden.<br /><br />Die Intensität des PL-Bandes bei 1594 nm (777 meV) zeigte eine qualitative Abhängigkeit von der Pt-Dosis. Weiter trat ein<br />Anwachsen der Intensität mit der charakteristischen Halbwertszeit des Mutterisotops 193Au im Falle von dem durch 193Pt<br />verursachten Störstellenkomplex auf.<br /><br />Dieses Anwachsen wurde für die beiden Rekombinationszentren mit Nullphononenlinien bei 1207 nm (1026 meV) bzw. 1402<br />nm (884 meV) nicht beobachtet. Jedoch zeigten beide Linien eine starke Abhängigkeit von der Implantationsdosis von stabilen<br />Pt-Ionen. Auch nach Implantation von radioaktivem 191Hg nahmen die Linienintensitäten der entsprechenden<br />Rekombinationskanäle mit der Halbwertszeit von 191Pt ab.<br /><br />Daher konnten die zugehörigen Übergänge Defektkomplexen mit Pt zugeordnet werden. PL-Linien, die durch isolierte<br />Pt-Atome auf Gitter- beziehungsweise Zwischengitterplätzen entstehen [Arm86], wurden nicht beobachtet. Somit wurden in<br />der vorliegenden Arbeit f 2011-03-24T14:52:12Z Knopf, Matthias 2011-03-24T14:52:12Z Luminescent Properties of Transition Metal Impurities in Silicon 1998 application/pdf deposit-license

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