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Surfactant-Wirkung von Indium auf das Wachstum von Kobalt auf der Kupfer(111)-Oberfläche unter Berücksichtigung der Legierungsbildung von Indium auf Kupfer(111)

Surfactant-Wirkung von Indium auf das Wachstum von Kobalt auf der Kupfer(111)-Oberfläche unter Berücksichtigung der Legierungsbildung von Indium auf Kupfer(111)

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Prüfsumme: MD5:87e656d22f6e0b3536d6444935a60eb7

WIDER, Helmut, 2002. Surfactant-Wirkung von Indium auf das Wachstum von Kobalt auf der Kupfer(111)-Oberfläche unter Berücksichtigung der Legierungsbildung von Indium auf Kupfer(111)

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deposit-license 2011-03-24T14:51:32Z Surfactant-Wirkung von Indium auf das Wachstum von Kobalt auf der Kupfer(111)-Oberfläche unter Berücksichtigung der Legierungsbildung von Indium auf Kupfer(111) Wider, Helmut In dieser Arbeit wurde der sog. Surfactant-Effekt von In auf das Wachstum von Co auf der Cu(111)-Oberfläche untersucht. Als Surfactant-Effekt bezeichnet man in der Molekularstrahlepitaxie eine Änderung des Wachstumsverhaltens eines Films von 3D- Inselwachstum ohne Surfactant hin zu Lagenwachstum nach vorheriger Bedeckung des Substrats mit einer Surfactant-Spezies. Für fortschreitendes Lagenwachstum muss der Surfactant während des Wachstums ständig an die Oberfläche segregieren und für die nächste Lage als Wachstumskatalysator zur Verfügung stehen. In realen Systemen ist mit einem teilweisen Verbleib des Surfactants an der Adsorbat-Substrat-Grenzfläche und mit einem teilweisen Einbau in die aufwachsende Schicht zu rechnen.<br />Neben dem Nachweis einer Surfactant-Wirkung von In beim Co-Wachstum auf der Cu(111)-Oberfläche sollte diese Arbeit den Verbleib des In aufklären. Als Methode der nuklearen Festkörperphysik stand dafür die gestörte gg-Winkelkorrelation (PAC) unter Verwendung des radioaktiven 111In-Isotops als lokale Sonde zur Verfügung. Desweiteren wurden LEED, MEED, AES und die Rastertunnelmikroskopie als Untersuchungsmethoden eingesetzt.<br />Da die Untersuchungen zum Surfactant-Effekt In-bedeckungsabhängig erfolgen sollten, wurde zuerst das Wachstumsverhalten von In auf Cu(111) untersucht. Dabei konnte die Bildung von geordneten Cu-In-Oberflächenlegierungen im nominellen In-Bedeckungsbereich bis ca. 1 ML beobachtet werden.<br />Beim Co-Wachstum auf den mit In-belegten Cu-Oberflächen wurde Lagenwachstum verschiedenen Ausmaßes nachgewiesen. Aus den Untersuchungsergebnissen konnte ein detailiertes Wachstumsphasendiagramm erstellt und die Menge an In bestimmt werden, die jeweils an der Cu-Co-Grenzfläche verbleibt oder im Co-Film eingebaut wird. Als Modell für den Einbaumechanismus wird der Einfang von In-Atomen in Co-Korngrenzen vorgeschlagen. 2002 Wider, Helmut Surfactant-effect of Indium on the growth of Cobalt on the Copper(111)-surface in consideration of alloying of Indium on Copper(111) application/pdf deu 2011-03-24T14:51:32Z

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