Modellierung von Prozessschritten zur Umlagerung rekombinationsaktiver Defekte in kristallinem Silizium

Abstract

Während des Herstellungsprozesses von kristallinen Siliziumsolarzellen kommt es zu einer Umverteilung von absichtlich eingebrachten Dotierstoffen und metallischen Verunreinigungen. In der vorliegenden Arbeit werden Modelle zur Beschreibung dieser Diffusions- und Umlagerungsprozesse vorgestellt und deren breite Anwendbarkeit durch Vergleich mit experimentellen Daten gezeigt. Das auf diese Weise erweiterte physikalische Verständnis ermöglicht eine verbesserte Kontrolle und Vorhersage für die gesamte Prozesskette. Ein Schwerpunkt liegt auf dem Präzipitations- und Umlagerungsverhalten von Eisen, für das u.a. verschiedene Optimierungsmöglichkeiten evaluiert werden.