Publikation: Modellierung von Prozessschritten zur Umlagerung rekombinationsaktiver Defekte in kristallinem Silizium
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Datum
2011
Autor:innen
Schön, Jonas
Herausgeber:innen
ISSN der Zeitschrift
Electronic ISSN
ISBN
978-3-8439-0162-8
Bibliografische Daten
Verlag
München : Dr. Hut
Schriftenreihe
Auflagebezeichnung
URI (zitierfähiger Link)
Internationale Patentnummer
Angaben zur Forschungsförderung
Projekt
Open Access-Veröffentlichung
Sammlungen
Core Facility der Universität Konstanz
Titel in einer weiteren Sprache
Publikationstyp
Dissertation
Publikationsstatus
Published
Erschienen in
Zusammenfassung
Während des Herstellungsprozesses von kristallinen Siliziumsolarzellen kommt es zu einer Umverteilung von absichtlich eingebrachten Dotierstoffen und metallischen Verunreinigungen. In der vorliegenden Arbeit werden Modelle zur Beschreibung dieser Diffusions- und Umlagerungsprozesse vorgestellt und deren breite Anwendbarkeit durch Vergleich mit experimentellen Daten gezeigt. Das auf diese Weise erweiterte physikalische Verständnis ermöglicht eine verbesserte Kontrolle und Vorhersage für die gesamte Prozesskette. Ein Schwerpunkt liegt auf dem Präzipitations- und Umlagerungsverhalten von Eisen, für das u.a. verschiedene Optimierungsmöglichkeiten evaluiert werden.
Zusammenfassung in einer weiteren Sprache
Fachgebiet (DDC)
530 Physik
Schlagwörter
Konferenz
Rezension
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Zitieren
ISO 690
SCHÖN, Jonas, 2011. Modellierung von Prozessschritten zur Umlagerung rekombinationsaktiver Defekte in kristallinem Silizium [Dissertation]. Konstanz: University of Konstanz. München : Dr. Hut. ISBN 978-3-8439-0162-8BibTex
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Prüfungsdatum der Dissertation
April 13, 2011
