Publikation: Laserablation von dielektrischen Schichten
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Zusammenfassung
This bachelor thesis is about contacting silicon-solarcells by using a nanosecond pulsed laser to define the contact area. The basic idea is to open a dielectrica on a silicon-wafer with a laser to create a low-impedance contact without damaging the subjacent silicon. Methods for analysis are lightmicroscopes, scanning electron microscopes, lifetime measurements(QSSPC, µPCD) so as sheet and contact resistances.
Results are SiO2 formation through laser radiation on substrate, reduced lifetime in Si-bulk, reduced sheet resistance in the emitter layer and acceptable contact resistances. Results may lead to apply pico- or femtosecond lasers.
Zusammenfassung in einer weiteren Sprache
Diese Arbeit beschäftigt sich mit der Kontaktierung von Siliziumsolarzellen unter Verwendung von Lasern zur Kontaktflächendefinition. Die Idee dieser Arbeit ist, ein auf einen Silizium-Wafer aufgebrachtes Dielektrikum mit einem Nanosekundenlaser in der Weise zu öffnen, dass ein späterer elektrischer Kontakt möglichst niederohmig ist und das darunterliegende Silizium möglichst wenig Schaden nimmt. Die Messmethoden, die dabei angewandt werden, reichen vom einfachen visuellen Abgleich durch ein Lichtmikroskop über die Oberflächenanalyse und -zusammensetzung mit einem Rasterelektronenmikroskop bis zur Lebensdauerbestimmung(QSSPC, µPCD) und Kontakt- sowie Schichtwiderstandsmessung.
Zentrale Ergebnisse durch Laserstrahlung auf dem Substrat sind die Erzeugung von SiO2 auf der Oberfläche, reduzierte Lebensdauern im Si-Bulk, sinkende Schichtwiderstände und ausreichende Kontaktwiderstände. Die Ergebnisse führen zum Einsatz von Pico- oder Femtosekundenlasern.
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ISO 690
SOMMER, Daniel, 2009. Laserablation von dielektrischen Schichten [Bachelor thesis]BibTex
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