Extremely high currents in RGS (Ribbon Growth on Substrate) silicon solar cells by 3D carrier collecting channels

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Datum
2000
Autor:innen
Häßler, C.
Langenkamp, M.
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Beitrag zu einem Konferenzband
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Published
Erschienen in
10th Workshop on Crystalline Silicon Solar Cell Materials and Processes : Extended Abstracts and Papers. Golden, Colorado: National Renewable Energy Laboratory, 2000, pp. 208-211
Zusammenfassung
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Fachgebiet (DDC)
530 Physik
Schlagwörter
Konferenz
10th Workshop on Crystalline Silicon Solar Cell Materials and Processes, 14. Aug. 2000 - 16. Aug. 2000, Copper Mountain, Colorado
Rezension
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Zitieren
ISO 690HAHN, Giso, C. HÄSSLER, M. LANGENKAMP, 2000. Extremely high currents in RGS (Ribbon Growth on Substrate) silicon solar cells by 3D carrier collecting channels. 10th Workshop on Crystalline Silicon Solar Cell Materials and Processes. Copper Mountain, Colorado, 14. Aug. 2000 - 16. Aug. 2000. In: 10th Workshop on Crystalline Silicon Solar Cell Materials and Processes : Extended Abstracts and Papers. Golden, Colorado: National Renewable Energy Laboratory, 2000, pp. 208-211
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2018-06-18
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