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Extremely high currents in RGS (Ribbon Growth on Substrate) silicon solar cells by 3D carrier collecting channels

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Datum

2000

Autor:innen

Häßler, C.
Langenkamp, M.

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Beitrag zu einem Konferenzband
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Erschienen in

10th Workshop on Crystalline Silicon Solar Cell Materials and Processes : Extended Abstracts and Papers. Golden, Colorado: National Renewable Energy Laboratory, 2000, pp. 208-211

Zusammenfassung

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Fachgebiet (DDC)
530 Physik

Schlagwörter

Konferenz

10th Workshop on Crystalline Silicon Solar Cell Materials and Processes, 14. Aug. 2000 - 16. Aug. 2000, Copper Mountain, Colorado
Rezension
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Zitieren

ISO 690HAHN, Giso, C. HÄSSLER, M. LANGENKAMP, 2000. Extremely high currents in RGS (Ribbon Growth on Substrate) silicon solar cells by 3D carrier collecting channels. 10th Workshop on Crystalline Silicon Solar Cell Materials and Processes. Copper Mountain, Colorado, 14. Aug. 2000 - 16. Aug. 2000. In: 10th Workshop on Crystalline Silicon Solar Cell Materials and Processes : Extended Abstracts and Papers. Golden, Colorado: National Renewable Energy Laboratory, 2000, pp. 208-211
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2018-06-18

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