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Influence of hydrogen passivation on majority and minority charge carrier mobilities in ribbon silicon

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Datum

2001

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Geiger, Patric
Sontag, D.
Fath, Peter

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Beitrag zu einem Konferenzband
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Erschienen in

Technical Digest : 12th International Photovoltaic Science and Engineering Conference ; June 11-15/2001, Jeju, Korea. Daejeon: Korea Institute of Energy Research, 2001, pp. 191-192

Zusammenfassung

Zusammenfassung in einer weiteren Sprache

Fachgebiet (DDC)
530 Physik

Schlagwörter

Konferenz

12th International Photovoltaic Science and Engineering Conference, 11. Juni 2001 - 15. Juni 2001, Jeju, Korea
Rezension
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Zitieren

ISO 690HAHN, Giso, Patric GEIGER, D. SONTAG, Peter FATH, Ernst BUCHER, 2001. Influence of hydrogen passivation on majority and minority charge carrier mobilities in ribbon silicon. 12th International Photovoltaic Science and Engineering Conference. Jeju, Korea, 11. Juni 2001 - 15. Juni 2001. In: Technical Digest : 12th International Photovoltaic Science and Engineering Conference ; June 11-15/2001, Jeju, Korea. Daejeon: Korea Institute of Energy Research, 2001, pp. 191-192
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