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The impact of gettering on LeTID in industrial Czochralski grown gallium-doped p-type silicon ingots with melt recharging

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Solar Energy Materials and Solar Cells. Elsevier. 2025, 282, 113423. ISSN 0927-0248. eISSN 1879-3398. Verfügbar unter: doi: 10.1016/j.solmat.2025.113423

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530 Physik

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ISO 690KAMPHUES, Joshua, Axel HERGUTH, Juri MIECH, Xueqi BAI, Yichun WANG, Giso HAHN, Fabian GEML, 2025. The impact of gettering on LeTID in industrial Czochralski grown gallium-doped p-type silicon ingots with melt recharging. In: Solar Energy Materials and Solar Cells. Elsevier. 2025, 282, 113423. ISSN 0927-0248. eISSN 1879-3398. Verfügbar unter: doi: 10.1016/j.solmat.2025.113423
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