Publikation: Untersuchungen an neuen thermoelektrischen Materialien
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Die Anwendungen thermoelektrischer Bauelemente sind sehr vielseitig, da sie sowohl zur Kühlung als auch zur Energieerzeugung als thermoelektrische Generatoren eingesetzt werden können. Der Wirkungsgrad von thermoelektrischen Bauelementen hängt von den Transporteigenschaften des verwendeten Materials ab. Die dafür relevanten Eigenschaften werden mit der Gütezahl ZT beschrieben. Je größer die Gütezahl ist, um so besser sind die thermoelektrischen Materialeigenschaften, d.h. das Material besitzt gleichzeitig eine hohe Thermokraft, eine hohe elektrische Leitfähigkeit und eine niedrige Wärmeleitfähigkeit. Um den Wirkungsgrad thermoelektrischer Bauelemente zu verbessern, wird daher nach Materialien geforscht, die eine hohe Gütezahl aufweisen. Da bisher keine genauen theoretischen Vorhersagen über die thermoelektrischen Eigenschaften von neuen Verbindungen möglich sind, orientiert man sich in der Forschung an schon bekannten Verbindungen, die gute thermoelektrische Eigenschaften besitzen. ZrNiSn ist ein n-Typ Halbleiter mit guten thermoelektrischen Eigenschaften. Daher umfaßte ein Teil der Arbeit die bisher noch nicht erforschten Möglichkeiten zur Herstellung von p-Typ ZrNiSn durch teilweise Substitution der Zirkoniumatome durch Scandiumatome und Yttriumatome. Dabei wurden mit der Verbindung Y0,1Zr0,9NiSn die besten Ergebnisse für p-Typ ZrNiSn erzielt. Der Schwerpunkt dieser Arbeit lag jedoch an den von ZrNiSn abgeleiteten Halbheusler-Verbindungen der Gruppen ScMVIIISb und YMVIIISb (MVIII = Ni, Pd, Pt). YPtSb erwies sich als das Material mit den besten thermoelektrischen Eigenschaften innerhalb der untersuchten Gruppen. Bei Temperaturen oberhalb von 330 K ist die Gütezahl von YPtSb größer als die von der Verbindung ZrNiSn, die dieser Untersuchung als Ausgangsmaterial diente. Da die Optimierung von YPtSb noch nicht abgeschlossen ist, ist diese Verbindung ein vielversprechender Kandidat für weitere Forschungen.
Zusammenfassung in einer weiteren Sprache
Thermoelectric devices have a wide range of applications because they can be used for cooling as well as for power generation. The efficiency of a thermoelectric device depends on the transport properties of the used material. The relevant properties are described by the figure of merit ZT. The higher the figure of merit is, the better the thermoelectric properties of the material are, i.e. a high thermopower, a high electrical conductivity and a low thermal conductivity of the material at the same time. To increase the efficiency of thermoelectric devices, new materials are investigated to find materials with a high figure of merit. It is not possible to predict the thermoelectric properties of new compounds. Orientation is offered by already investigated compounds with good thermoelectric properties. As ZrNiSn is a n-type semiconductor with good thermoelectric properties, one part of the work consisted of the synthesis of p-type ZrNiSn by partial substitution of Zirconium atoms by Scandium and Yttrium atoms. Y0,1Zr0,9NiSn showed the best thermoelectric properties among the synthesized p-type compounds. However, the focus of the work was on the half-Heusler compounds deduced from ZrNiSn. Especially the groups ScMVIIISb and YMVIIISb (MVIII = Ni, Pd, Pt) were examined. Among these two groups, YPtSb showed the best thermoelectric properties. With temperatures above 330 K the figure of merit of YPtSb is even higher than that of ZrNiSn, the material from which the investigated half-Heusler compounds were deduced. The optimization of YPtSb has not yet been completed thus leaving the compound as a promising candidate for further investigation.
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ISO 690
OESTREICH, Jens, 2001. Untersuchungen an neuen thermoelektrischen Materialien [Dissertation]. Konstanz: University of KonstanzBibTex
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