Publikation: Deposition von Si4 auf Oberflächen
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Zusammenfassung
Stable clusters can be used as building blocks for new cluster materials. For an example take the fullerit that consists of C60 clusters. Such materials have potentially very interesting properties. In the current work Si4 has been investigated for its properties, especially whether it is suited as a building block for a new cluster based material. Therefore Si4 has been produced in a cluster ion source and soft landed on different surfaces. With a scanning tunneling microscope (STM) it has been shown that the major part of the clusters is mobile on the surface. Some clusters are pinned to surface defects and act as nucleation centres for larger agglomerates. With x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) first evidence was found that the Si4 clusters on the surface are very stable against chemical reactions and fusion. For comparison deposited silicon atoms in contrast show a very different behaviour. UV photoelectron measurements (UPS) show evidence that points into the same direction. To confirm these assumptions improvements to the UPS experiment and theoretical studies are suggested.
Zusammenfassung in einer weiteren Sprache
Stabile Cluster können als Bausteine für neue Clustermaterialien verwendet werden. Ein Beispiel ist das Fullerit, ein Festkörper aus C60 Clustern. Solche Materialien haben potentiell sehr interessante Eigenschaften. In der vorliegenden Arbeit wurden die Eigenschaften von Si4 auf Oberflächen untersucht, speziell die Eignung dieses Clusters als Baustein für einen neuen Festkörper. Dazu wurde Si4 in einer Clusterionenquelle erzeugt und durch sanftes Landen auf unterschiedlichen Oberflächen abgeschieden. Mit dem Rastertunnelmikroskop (STM) konnte gezeigt werden, dass der überwiegende Teil der Cluster auf der Oberfläche mobil ist. Einzelne Cluster bleiben an Haftzentren hängen und bilden Nukleationskeime für größere Agglomerationen. Mittels der Röntgenphotoemission (XPS) konnten erste Indizien gefunden werden, die darauf hindeuten, dass Si4 auf der Oberfläche sowohl gegenüber chemischen Reaktionen als auch gegenüber Verschmelzen sehr stabil ist. Zum Vergleich deponierte Siliziumatome zeigen ein davon sehr deutlich abweichendes Verhalten. Indizien, die in die gleiche Richtung weisen, konnten auch mittels der UV Photoemission (UPS) gefunden werden. Zur Erhärtung dieser These wird vorgeschlagen, das UPS Experiment zu verfeinern und vergleichende theoretische Simulationsrechnungen durchzuführen.
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ISO 690
GRASS, Martin, 2002. Deposition von Si4 auf Oberflächen [Dissertation]. Konstanz: University of KonstanzBibTex
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