Publikation: Metallorganische Gasphasenepitaxie zur Herstellung von hocheffizienten Solarzellen aus III-V Halbleitern
Dateien
Datum
Autor:innen
Herausgeber:innen
ISSN der Zeitschrift
Electronic ISSN
ISBN
Bibliografische Daten
Verlag
Schriftenreihe
Auflagebezeichnung
URI (zitierfähiger Link)
Internationale Patentnummer
Link zur Lizenz
Angaben zur Forschungsförderung
Projekt
Open Access-Veröffentlichung
Sammlungen
Core Facility der Universität Konstanz
Titel in einer weiteren Sprache
Publikationstyp
Publikationsstatus
Erschienen in
Zusammenfassung
Die Arbeit beschäftigt sich mit der Epitaxie von III-V Solarzellen aus GaAs, GaInAs, GaInP, GaInP/GaAs, und GaInP/GaInAs. Es werden die verschiedenen Schritte der Herstellung und Optimierung der Struktur von der Epitaxie bis hin zur Kontakttechnologie und Meßtechnik der fertigen Solarzelle behandelt. Die Strukturen wurden mit Hilfe eines in der Halbleiterindustrie eingesetzten Reaktors zur Metallorganischen- Gasphasenepitaxie hergestellt. Die Arbeit beschäftigt sich mit der Optimierung der Abscheidebedingungen zum Wachstum von Schichten aus GaAs, AlGaInP, AlGaAs und GaInAs auf GaAs und Ge Substrat. Herausragend sind die Ergebnisse zu Solarzellen auf der Basis von GaInAs, fehlangepaßt gewachsen auf GaAs Substrat. Erstmals wurden Tandemsolarzellen aus GaInP auf GaInAs realisiert und ein Rekordwirkungsggrad von bis zu 31.3 bei einer Konzentration von 300 Sonnen erreicht.
Zusammenfassung in einer weiteren Sprache
This thesis gives an overview about the growth and characterization of III-V solar cells from materials like GaAs, GaInP, GaInAs, GaInP/GaAs and GaInP/GaInAs. An industrial size MOVPE reactor with a 5 times 4 inch substrate configuration has been used. This work summarizes results on the optimization of growth conditions for the epitaxy of GaAs, AlGaAs, GaInAs and AlGaInP layers on GaAs and Ge substrates. One highlight of this work was the realization of lattice mismatched GaInAs solar cells with record efficiencies. The first GaInP on GaInAs tandem solar cells have been grown, achieving a conversion efficiency of 31.3 at 300 suns.
Fachgebiet (DDC)
Schlagwörter
Konferenz
Rezension
Zitieren
ISO 690
DIMROTH, Frank, 2000. Metallorganische Gasphasenepitaxie zur Herstellung von hocheffizienten Solarzellen aus III-V Halbleitern [Dissertation]. Konstanz: University of KonstanzBibTex
@phdthesis{Dimroth2000Metal-9019,
year={2000},
title={Metallorganische Gasphasenepitaxie zur Herstellung von hocheffizienten Solarzellen aus III-V Halbleitern},
author={Dimroth, Frank},
address={Konstanz},
school={Universität Konstanz}
}RDF
<rdf:RDF
xmlns:dcterms="http://purl.org/dc/terms/"
xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/"
xmlns:rdf="http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#"
xmlns:bibo="http://purl.org/ontology/bibo/"
xmlns:dspace="http://digital-repositories.org/ontologies/dspace/0.1.0#"
xmlns:foaf="http://xmlns.com/foaf/0.1/"
xmlns:void="http://rdfs.org/ns/void#"
xmlns:xsd="http://www.w3.org/2001/XMLSchema#" >
<rdf:Description rdf:about="https://kops.uni-konstanz.de/server/rdf/resource/123456789/9019">
<dc:date rdf:datatype="http://www.w3.org/2001/XMLSchema#dateTime">2011-03-24T17:52:53Z</dc:date>
<dcterms:available rdf:datatype="http://www.w3.org/2001/XMLSchema#dateTime">2011-03-24T17:52:53Z</dcterms:available>
<dcterms:rights rdf:resource="https://rightsstatements.org/page/InC/1.0/"/>
<dcterms:alternative>Metal-Organic-Vapor-Phase-Epitaxy of high-efficiency III-V solar cells</dcterms:alternative>
<dc:format>application/pdf</dc:format>
<dc:contributor>Dimroth, Frank</dc:contributor>
<foaf:homepage rdf:resource="http://localhost:8080/"/>
<dcterms:isPartOf rdf:resource="https://kops.uni-konstanz.de/server/rdf/resource/123456789/41"/>
<dc:creator>Dimroth, Frank</dc:creator>
<dspace:hasBitstream rdf:resource="https://kops.uni-konstanz.de/bitstream/123456789/9019/1/promotion.pdf"/>
<dcterms:issued>2000</dcterms:issued>
<dcterms:title>Metallorganische Gasphasenepitaxie zur Herstellung von hocheffizienten Solarzellen aus III-V Halbleitern</dcterms:title>
<dcterms:hasPart rdf:resource="https://kops.uni-konstanz.de/bitstream/123456789/9019/1/promotion.pdf"/>
<bibo:uri rdf:resource="http://kops.uni-konstanz.de/handle/123456789/9019"/>
<void:sparqlEndpoint rdf:resource="http://localhost/fuseki/dspace/sparql"/>
<dcterms:abstract xml:lang="deu">Die Arbeit beschäftigt sich mit der Epitaxie von III-V Solarzellen aus GaAs, GaInAs, GaInP, GaInP/GaAs, und GaInP/GaInAs. Es werden die verschiedenen Schritte der Herstellung und Optimierung der Struktur von der Epitaxie bis hin zur Kontakttechnologie und Meßtechnik der fertigen Solarzelle behandelt. Die Strukturen wurden mit Hilfe eines in der Halbleiterindustrie eingesetzten Reaktors zur Metallorganischen- Gasphasenepitaxie hergestellt. Die Arbeit beschäftigt sich mit der Optimierung der Abscheidebedingungen zum Wachstum von Schichten aus GaAs, AlGaInP, AlGaAs und GaInAs auf GaAs und Ge Substrat. Herausragend sind die Ergebnisse zu Solarzellen auf der Basis von GaInAs, fehlangepaßt gewachsen auf GaAs Substrat. Erstmals wurden Tandemsolarzellen aus GaInP auf GaInAs realisiert und ein Rekordwirkungsggrad von bis zu 31.3 bei einer Konzentration von 300 Sonnen erreicht.</dcterms:abstract>
<dc:language>deu</dc:language>
<dspace:isPartOfCollection rdf:resource="https://kops.uni-konstanz.de/server/rdf/resource/123456789/41"/>
<dc:rights>terms-of-use</dc:rights>
</rdf:Description>
</rdf:RDF>
