Publikation: Elektronischer Transport durch größen-selektierte Cluster
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Zusammenfassung
Ongoing efforts in the fabrication of smaller and smaller electronic circuits will have reached the physical limits of traditional methods in a few years. In order to develop alternative methods the profound knowledge of the transport properties of structures on the scale of nanometers is getting increasingly important. In this context the question how the electric conductance of atomic or molecular devices depends on the exact spatial geometry of the system is of special interest. Therefore clusters of 4 or 7 Silicon atoms respectively shall be examined by means of mechanically controllable break junctions. The geometric structure of these clusters is supposed to be quite well known so experimental results could be compared to theoretical calculations as soon as both is available.
Zusammenfassung in einer weiteren Sprache
Im Zuge der immer weiter fortschreitenden Miniaturisierung elektronischer Schaltungen wird die Grenze herkömmlicher Verfahren zu deren Herstellung in wenigen Jahren erreicht werden. Zur Entwicklung alternativer Methoden wird deshalb die Kenntnis über die Transport-Eigenschaften von Strukturen auf der Nanometer-Skala immer wichtiger. In diesem Zusammenhang ist insbesondere die Frage, wie der elektrische Leitwert auf atomarer oder molekularer Ebene von der exakten räumlichen Geometrie des Systems abhängt, von großem Interesse. Deshalb sollen hier beispielhaft Cluster aus 4 bzw. 7 Silizium-Atomen mittels mechanisch kontrollierbarer Bruchkontakte untersucht werden. Die geometrische Struktur dieser Cluster ist weitgehend als bekannt anzusehen, so dass sich Ergebnisse von Messungen mit theoretischen Rechnungen vergleichen lassen sollten, sobald beides vorliegt.
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ISO 690
GREBING, Jochen, 2002. Elektronischer Transport durch größen-selektierte Cluster [Master thesis]BibTex
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