Morphology of contact formation with Ag based screen-printing pastes for novel CVD layers on crystalline Si substrates
| dc.contributor.author | Mink, Daniela | |
| dc.date.accessioned | 2020-02-11T08:57:18Z | |
| dc.date.available | 2020-02-11T08:57:18Z | |
| dc.date.issued | 2019 | eng |
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| dc.identifier.uri | https://kops.uni-konstanz.de/handle/123456789/48580 | |
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| dc.rights.uri | https://rightsstatements.org/page/InC/1.0/ | |
| dc.subject | Si-Solarzellen, Metallisation, Silicon, Contact morphology, Kontaktmorphologie | eng |
| dc.subject.ddc | 530 | eng |
| dc.title | Morphology of contact formation with Ag based screen-printing pastes for novel CVD layers on crystalline Si substrates | eng |
| dc.type | MSC_THESIS | eng |
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| kops.citation.iso690 | MINK, Daniela, 2019. Morphology of contact formation with Ag based screen-printing pastes for novel CVD layers on crystalline Si substrates [Master thesis]. Konstanz: Universität Konstanz | eng |
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| kops.date.yearDegreeGranted | 2019 | eng |
| kops.description.abstract | Diese Masterarbeit behandelt die Kontaktmorphologie von Leitpasten auf Silizium (Si) Solarzellen. Dabei liegt das Hauptaugenmerk auf bleifreien Silberleitpasten, die hoch n-dotiertes Si gleichermaßen wie hoch p-dotiertes Si (n+ und p+ Emitter) kontaktieren zu können.<br />Die Qualität der Kontaktierung wird am spezifischen Kontaktwiderstand gemessen und zusätzlich mithilfe von Mikroskopaufnahmen der polierten Querschnitten analysiert um den Vorgang während der Kontaktbildung nachzuvollziehen. Die Problematik dabei ist, dass dielektrische Schichten die Leitpaste vom Emitter trennen. Die dielektrischen Schichten sind jedoch für die Effizienz der Solarzelle essentiell.<br />Bei der Kontaktbildung müssen diese Schichten entfernt werden, was durch eine Glasfritte in der Leitpaste realisiert wird. Die Zusammensetzung von solchen Glasfritten wird in dieser Arbeit erarbeitet und untersucht. Außerdem nehmen die Prozessschritte Drucken und Feuern maßgeblich Einfluss auf die Kontaktbildung, weshalb diese Prozesse analysiert werden. Im Anschluss an die Analyse der genannten Faktoren werden die dielektrischen Schichten untersucht. | eng |
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| kops.location.thesis | Konstanz | eng |
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