Publikation: Complex DX-behavior of Si in AlGaN alloys
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Datum
2001
Autor:innen
Zeisel, Roland
Ambacher, Oliver
Brandt, Martin S.
Stutzmann, Martin
Karrer, Uwe
Bayerl, Martin W.
Herausgeber:innen
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Bibliografische Daten
Verlag
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Open Access-Veröffentlichung
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Publikationstyp
Beitrag zu einem Konferenzband
Publikationsstatus
Published
Erschienen in
MIURA, Norio, ed., T. ANDO, ed.. Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors Part II. Berlin: Springer, 2001, pp. 1597-1598. Springer proceedings in physics. 87. ISBN 978-3-540-41778-1
Zusammenfassung
Zusammenfassung in einer weiteren Sprache
Fachgebiet (DDC)
530 Physik
Schlagwörter
Konferenz
25th International Conference on the Physics of Semiconductors, 17. Sept. 2000 - 22. Sept. 2000, Osaka, Japan
Rezension
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Zitieren
ISO 690
GOENNENWEIN, Sebastian T. B., Roland ZEISEL, Oliver AMBACHER, Martin S. BRANDT, Martin STUTZMANN, Uwe KARRER, Martin W. BAYERL, 2001. Complex DX-behavior of Si in AlGaN alloys. 25th International Conference on the Physics of Semiconductors. Osaka, Japan, 17. Sept. 2000 - 22. Sept. 2000. In: MIURA, Norio, ed., T. ANDO, ed.. Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors Part II. Berlin: Springer, 2001, pp. 1597-1598. Springer proceedings in physics. 87. ISBN 978-3-540-41778-1BibTex
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