Publikation: Analysis of electrically active defects in silicon for solar cells
Dateien
Datum
Autor:innen
Herausgeber:innen
ISSN der Zeitschrift
Electronic ISSN
ISBN
Bibliografische Daten
Verlag
Schriftenreihe
Auflagebezeichnung
URI (zitierfähiger Link)
Internationale Patentnummer
Link zur Lizenz
Angaben zur Forschungsförderung
Projekt
Open Access-Veröffentlichung
Sammlungen
Core Facility der Universität Konstanz
Titel in einer weiteren Sprache
Publikationstyp
Publikationsstatus
Erschienen in
Zusammenfassung
The present work was concerned with the analysis of electrically active defects in silicon for solar cells. Analysis of such defects was performed using the two different characterization techniques deep-level transient spectroscopy and lifetime spectroscopy. The challenge of the present work was the in-depth comparison of the different measurement and evaluation techniques as well as the experimental use of these techniques for accessing the defect parameters of various impurities in silicon material.
Zusammenfassung in einer weiteren Sprache
Die vorliegende Arbeit behandelte die Analyse von elektrisch aktiven Defekten in Silicium für Solarzellen. Diese Analyse wurde durchgeführt mit den Methoden der Deep-level transient spectroscopy und der Lebensdauerspektroskopie. Das Ziel dieser Arbeit war sowohl der ausführliche Vergleich dieser unterschiedlichen Mess- und Auswertemethoden, als auch das experimentelle Anwenden dieser Methoden, um die Defektparameter verschiedener metallischer Verunreinigungen zu bestimmen.
Fachgebiet (DDC)
Schlagwörter
Konferenz
Rezension
Zitieren
ISO 690
ROTH, Thomas, 2008. Analysis of electrically active defects in silicon for solar cells [Dissertation]. Konstanz: University of KonstanzBibTex
@phdthesis{Roth2008Analy-5029,
year={2008},
title={Analysis of electrically active defects in silicon for solar cells},
author={Roth, Thomas},
address={Konstanz},
school={Universität Konstanz}
}RDF
<rdf:RDF
xmlns:dcterms="http://purl.org/dc/terms/"
xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/"
xmlns:rdf="http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#"
xmlns:bibo="http://purl.org/ontology/bibo/"
xmlns:dspace="http://digital-repositories.org/ontologies/dspace/0.1.0#"
xmlns:foaf="http://xmlns.com/foaf/0.1/"
xmlns:void="http://rdfs.org/ns/void#"
xmlns:xsd="http://www.w3.org/2001/XMLSchema#" >
<rdf:Description rdf:about="https://kops.uni-konstanz.de/server/rdf/resource/123456789/5029">
<foaf:homepage rdf:resource="http://localhost:8080/"/>
<dc:rights>terms-of-use</dc:rights>
<dcterms:title>Analysis of electrically active defects in silicon for solar cells</dcterms:title>
<dcterms:isPartOf rdf:resource="https://kops.uni-konstanz.de/server/rdf/resource/123456789/41"/>
<dc:date rdf:datatype="http://www.w3.org/2001/XMLSchema#dateTime">2011-03-24T14:52:36Z</dc:date>
<dspace:isPartOfCollection rdf:resource="https://kops.uni-konstanz.de/server/rdf/resource/123456789/41"/>
<dcterms:available rdf:datatype="http://www.w3.org/2001/XMLSchema#dateTime">2011-03-24T14:52:36Z</dcterms:available>
<dcterms:issued>2008</dcterms:issued>
<void:sparqlEndpoint rdf:resource="http://localhost/fuseki/dspace/sparql"/>
<dcterms:rights rdf:resource="https://rightsstatements.org/page/InC/1.0/"/>
<dspace:hasBitstream rdf:resource="https://kops.uni-konstanz.de/bitstream/123456789/5029/1/PhD_RothT_05_01_2009.pdf"/>
<dcterms:hasPart rdf:resource="https://kops.uni-konstanz.de/bitstream/123456789/5029/1/PhD_RothT_05_01_2009.pdf"/>
<dc:language>eng</dc:language>
<dcterms:alternative>Analyse von elektrisch aktiven Defekten in Silicium für Solarzellen</dcterms:alternative>
<bibo:uri rdf:resource="http://kops.uni-konstanz.de/handle/123456789/5029"/>
<dc:creator>Roth, Thomas</dc:creator>
<dcterms:abstract xml:lang="eng">The present work was concerned with the analysis of electrically active defects in silicon for solar cells. Analysis of such defects was performed using the two different characterization techniques deep-level transient spectroscopy and lifetime spectroscopy. The challenge of the present work was the in-depth comparison of the different measurement and evaluation techniques as well as the experimental use of these techniques for accessing the defect parameters of various impurities in silicon material.</dcterms:abstract>
<dc:format>application/pdf</dc:format>
<dc:contributor>Roth, Thomas</dc:contributor>
</rdf:Description>
</rdf:RDF>
