Publikation: Impact of Hydrogen in Ga-Doped Silicon on Maximum LeTID Defect Density
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2023
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Solar RRL. Wiley. 2023, 7(22), 2300501. ISSN 2367-198X. eISSN 2367-198X. Available under: doi: 10.1002/solr.202300501
Zusammenfassung
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Fachgebiet (DDC)
530 Physik
Schlagwörter
Electrical and Electronic Engineering
Konferenz
Rezension
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Zitieren
ISO 690
ZERFASS, Ruben, Jochen SIMON, Axel HERGUTH, Giso HAHN, 2023. Impact of Hydrogen in Ga-Doped Silicon on Maximum LeTID Defect Density. In: Solar RRL. Wiley. 2023, 7(22), 2300501. ISSN 2367-198X. eISSN 2367-198X. Available under: doi: 10.1002/solr.202300501BibTex
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Prüfungsdatum der Dissertation
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Corresponding Authors der Uni Konstanz vorhanden
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Universitätsbibliographie
Ja
Begutachtet
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