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Passivation of Mn acceptors in GaMnAs

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Datum

2004

Autor:innen

Brandt, Martin S.
Wassner, Thomas A.
Lehner, Andrea
Huebl, Hans
Graf, Thomas
Stutzmann, Martin
Koeder, Achim
Schoch, Wladimir
Waag, Andreas
et al.

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https://doi.org/10.1063/1.1690470
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Publikationstyp
Zeitschriftenartikel
Publikationsstatus
Published

Erschienen in

Applied Physics Letters. American Institute of Physics (AIP). 2004, 84(13), pp. 2277-2279. ISSN 0003-6951. eISSN 1077-3118. Available under: doi: 10.1063/1.1690470

Zusammenfassung

The effects of hydrogen and deuterium on ferromagnetic GaAs doped with high concentrations of Mn (≈1021 cm−3) are studied. Secondary ion mass spectroscopy depth profiles show that D is incorporated in the same concentration as Mn. The epilayers change from metallic to semiconducting behavior upon hydrogenation. Fourier transform infrared absorption measurements show the As–H and As–D local vibrational modes characteristic for the complexes of hydrogen with group-II acceptors in GaAs.

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Fachgebiet (DDC)
530 Physik

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Konferenz

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Zitieren

ISO 690BRANDT, Martin S., Sebastian T. B. GOENNENWEIN, Thomas A. WASSNER, Andrea LEHNER, Hans HUEBL, Thomas GRAF, Martin STUTZMANN, Achim KOEDER, Wladimir SCHOCH, Andreas WAAG, 2004. Passivation of Mn acceptors in GaMnAs. In: Applied Physics Letters. American Institute of Physics (AIP). 2004, 84(13), pp. 2277-2279. ISSN 0003-6951. eISSN 1077-3118. Available under: doi: 10.1063/1.1690470
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