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High efficiency process development for defect-rich silicon wafer materials

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2012

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978-3-8439-0455-1
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München : Dr. Hut Verlag

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http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:352-189827
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Publikationstyp
Dissertation
Publikationsstatus
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Zusammenfassung

Der Siliziumwafer hat einen der größten Anteile an den Kosten einer auf kristallinem Silizium basierten Solarzelle.



Diese Arbeit beschreibt den Einfluss verschiedenster Prozessschritte der Solarzellenherstellung auf eine Reihe neuartiger, defektreicher Silizium-Wafermaterialien, die verglichen mit herkömmlichen Silizium-Wafermaterialien gewisse Kostenvorteile bieten.



Im Besonderen wird ein Hocheffizienzprozess für Laborsolarzellen vorgestellt, der sich auf eine Vielzahl unterschiedlicher Silizium-Wafermaterialien anwenden lässt und eine Bestimmung des Wirkungsgradpotentials dieser Materialien ermöglicht.

Zusammenfassung in einer weiteren Sprache

The silicon wafer is a major cost driver
for solar cells based on crystalline
silicon.



This work describes the influence of
different solar cell processing steps on
a variety of innovative, but defect-rich
low-cost multicrystalline silicon wafer
materials.



A high efficiency lab-type solar cell
process is presented. It allows the
determination of the solar cell efficiency
limit for a broad range of different new
silicon wafer materials.

Fachgebiet (DDC)
530 Physik

Schlagwörter

Hocheffizienzprozessierung, mc Silicon, Ribbon Silicon, UMG Silicon

Konferenz

Rezension
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Zitieren

ISO 690JUNGE, Johannes, 2012. High efficiency process development for defect-rich silicon wafer materials [Dissertation]. Konstanz: University of Konstanz. München : Dr. Hut Verlag. ISBN 978-3-8439-0455-1
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February 29, 2012
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